存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外，还有多种技能挑选，ReRAM(非易失性阻变式存储器)便是这里边一种，其写入寿数一般能够到达100万次，此前主要是出产难度大，现在杭州昕原半导体主导建造了国内首条28/22nm ReRAM 12寸中试出产线。

  据杭州日报音讯，昕原半导体主导建造的国内首条28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试出产线顺利完结了自主研制设备的装机检验作业，完结了中试线工艺流程的通线，并成功流片(试出产)。

  传统CMOS代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在试验室阶段加速迭代速度，但没有规范的12寸量产产线，试验效果往往很难走向量产。

  昕原自行建立的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12寸中试出产线就处理了以上问题。汲取了代工厂和试验室的利益，迭代速度快， 产线灵敏，具有自主可控的知识产权，使得ReRAM相关这类的产品的快速完结变成了或许。

  “作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中试出产线，咱们产线的顺利导通并完结产品的验证和完结量产，将极大带动我国新式存储职业开展。”

  昕原半导体相关担任这个的人说，“而在这一范畴，现在国内外距离较小，壁垒没有构成，为我国存储器工业完结‘弯道超车’供给了或许。”

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